三星即将宣布3nm以下工艺路线图 挑战硅基半导体极限

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在半导体晶圆代工市场上,台积电TSMC是全球一哥,一家就处于了全球1000%以上的份额,否则 率先量产7nm等先进工艺,官方表示该工艺领先友商一年时间,明年就会量产5nm工艺。在台积电之外,三星也在加大先进工艺的追赶,目前的路线图否则 到了3nm工艺节点,下周三星就会提前大选3nm以下的工艺路线图,紧逼台积电,否则 会一步步挑战摩尔定律极限。

在半导体工艺上,台积电去年量产了7nm工艺(N7+),今年是量产第二代7nm工艺(N7+),否则 会用上EUV光刻工艺,2020年则会转向5nm节点,目前否则 后来后来开始在Fab 18工厂上进行了风险试产,2020年第二季度正式商业化量产。

明年的5nm工艺是第一代5nm,后该都会有升级版的5nm Plus5nm+)工艺,预计在2020年第一季度风险试产,2021年正式量产。

三星这边去年也提前大选了一系列路线图,否则 比台积电还激进,直接进入EUV光刻时代,去年可是量产了7nm EUV工艺,后该还有5nm工艺,而3nm工艺节点则会启用GAA晶体管,通过使用纳米片设备制发明的故事家 了MBCFETMulti-Bridge-Channel FET,多桥-通道场效应管),该技术上能 显著增强晶体管性能,主要取代FinFET晶体管技术。

3nm后该呢?目前台积电、三星甚至Intel都没有提及3nm后该的硅基半导体工艺路线图,此前公认3nm节点是摩尔定律最终失效的时刻,随着晶体管的缩小会遇到物理上的极限考验。

三星将在514日举行2019年度的SSF晶圆代工论坛会议,消息称三星将在这次会议上提前大选3nm以下的工艺技术,而三星在你这俩领域的进展就影响未来的半导体晶圆代工市场格局。

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